فِهرِس

وحدة InGaAs APD 8 دبابيس GTB9001

توفر وحدة InGaAs Avalanche Photo diode (APD) لعائلة الفراشة GTB9001 وحدة عامل الضرب العالي.

☆ نطاق الطول الموجي: 1000 نانومتر إلى 1650 نانومتر 
☆ كشف حجم المنطقة: 30um 
☆ Multiplication factor : Type M > 60
☆ كل من الحزمة المحورية وحزمة الفراشة 8 دبابيس

طلب
☆ أوتدر (مقياس انعكاس المجال الزمني البصري)
☆ الأجهزة البصرية


الجودة أولاً، المشاركة معًا.

  • JT
  • شيامن، الصين
  • 12 يوم عمل
  • 300
  • معلومات
سلسلة ايه بي ديجي تي أي 5016جي تي أي 5050GTB9001
الطول الموجي1000um ~ 1650 نانومتر
تحميل

OTDR optical time domain reflectometerإنغاس APD جي تي أي 5016.بي دي إف


OTDR optical time domain reflectometerInGaAs APD مع المجلس الوطني الانتقالي جي تي أي 5050.بي دي إف


High multiplication factor APDInGaAs APD الفراشة GTB9001.بي دي إف


تستخدم عائلة وحدة الصمام الثنائي للصور InGaAs انهيار ثلجي الخطية العالية،تيار مظلم منخفض، استجابة عالية. عامل الضرب العالي&نبسب;شريحة InGaAs APD.


اتصالالاتصالات جونتيللمزيد من المعلومات .

الحصول على آخر سعر؟ سنرد في أسرع وقت ممكن (خلال 12 ساعة)
This field is required
This field is required
Required and valid email address
This field is required
This field is required
For a better browsing experience, we recommend that you use Chrome, Firefox, Safari and Edge browsers.