وحدة InGaAs APD مع المجلس الوطني الانتقالي جي تي أي 5050
توفر وحدة InGaAs Avalanche Photo diode (APD) مع عائلة NTC GTA5050 وحدة عامل مضاعفة عالية.
☆ نطاق الطول الموجي: 1000 نانومتر إلى 1650 نانومتر
☆ كشف حجم المنطقة: 30um
☆ Multiplication factor : Type M > 60
☆ كل من الحزمة المحورية وحزمة الفراشة 8 دبابيس
طلب
☆ أوتدر (مقياس انعكاس المجال الزمني البصري)
☆ الأجهزة البصرية
الجودة أولاً، المشاركة معًا.
- JT
- شيامن، الصين
- 7 أيام عمل
- 500
- معلومات
| سلسلة ايه بي دي | جي تي أي 5016 | جي تي أي 5050 | GTB9001 |
| الطول الموجي | 1000um ~ 1650 نانومتر | ||
| تحميل |
| ||
تستخدم عائلة وحدة الصمام الثنائي للصور InGaAs انهيار ثلجي الخطية العالية،تيار مظلم منخفض، استجابة عالية. عامل الضرب العالي&نبسب;شريحة InGaAs APD.
اتصالالاتصالات جونتيللمزيد من المعلومات .
الحصول على آخر سعر؟ سنرد في أسرع وقت ممكن (خلال 12 ساعة)